Projektowanie układów scalonych CMOS

Projektowanie układów scalonych CMOS

1 opinia

Format:

ibuk

WYBIERZ RODZAJ DOSTĘPU

 

Dostęp online przez myIBUK

WYBIERZ DŁUGOŚĆ DOSTĘPU

6,15

Wypożycz na 24h i opłać sms-em.
Brak wydruku.

27,30

cena zawiera podatek VAT

ZAPŁAĆ SMS-EM

TA KSIĄŻKA JEST W ABONAMENCIE

Już od 19,90 zł miesięcznie za 5 ebooków!

WYBIERZ SWÓJ ABONAMENT

Podręcznik poświęcony podstawowym zagadnieniom z zakresu projektowania układów scalonych CMOS, obecnie powszechnie stosowanym we wszystkich dziedzinach przemysłu, telekomunikacji, medycynie i wielu innych. Podano podstawowe wiadomości dotyczące tranzystorów MOS i elementów stosowanych w technologii CMOS, a także opis oprogramowania wspierającego hierarchiczne projektowanie układów scalonych. Przedstawiono projektowanie układów scalonych metodami bottom-up (od pojedynczego elementu do układu) oraz top-down (od funkcji układu do jego fizycznej realizacji).
Odbiorcy książki: studenci wydziałów elektroniki, telekomunikacji i informatyki wyższych uczelni technicznych, studenci wydziałów informatyki uniwersytetów, słuchacze studiów doktoranckich i podyplomowych.


Liczba stron265
WydawcaWydawnictwa Komunikacji i Łączności
ISBN-13978-83-206-1911-9
Numer wydania1
Język publikacjipolski
Informacja o sprzedawcyePWN sp. z o.o.

Ciekawe propozycje

Spis treści

  Słowo wstępne    9
  1. Wprowadzenie    11
  2. Wytwarzanie układów scalonych - od pomysłu do testów - kurs w pigułce    15
  2.1. Pomysł    16
  2.2. Schemat i symulacje wstępne    17
  2.3. Topografia i sprawdzenie reguł geometrycznych    17
  2.4. Ekstrakcja elementów podstawowych i porównanie ze schematem    19
  2.5. Ekstrakcja elementów podstawowych i pasożytniczych oraz przeprowadzenie symulacji    20
  2.6. Fabrykacja i testy gotowej struktury    20
  2.7. Podsumowanie kursu w pigułce    22
  3. Układy CMOS    23
  3.1. Tranzystory MOS    23
  3.2. Tranzystor dyskretny a tranzystor jako podstawowy element układu scalonego    27
  3.3. Pasożytnicze pojemności w układach CMOS    29
  3.4. Parametry układów cyfrowych    32
  3.4.1. Charakterystyka przejściowa i marginesy zakłóceń    33
  3.4.2. Obciążalność bramki    35
  3.4.3. Właściwości dynamiczne    35
  3.4.4. Konsumpcja energii    36
  3.4.5. Współczynnik Delay-Power Product (DP)    41
  3.5. Podstawowe elementy CMOS    41
  3.5.1. Inwerter    41
  3.5.2. Bramka NAND    52
  3.5.3. Bramka NOR    56
  3.5.4. Bramki AOI i OAI    60
  3.5.5. Bramka XOR    61
  3.5.6. Bramka transmisyjna    62
  3.5.7. Bufor trójstanowy    62
  3.5.8. Przerzutniki    63
  4. Oprogramowanie wspierające hierarchiczne projektowanie układów scalonych    66
  5. Projektowanie układów scalonych metodą od szczegółu do ogółu    71
  5.1. Schemat układu - od tranzystorów do systemu    71
  5.2. Weryfikacja funkcjonalna    78
  5.3. Tworzenie topografii    85
  5.3.1. Reguły projektowe, czyli kompromis uzysku produkcji i wydajności systemu    85
  5.3.2. Parametry elektryczne warstw    95
  5.3.3. Połączenie układu scalonego ze światem zewnętrznym    106
  5.3.4. Przykładowe topografie    112
  5.4. Weryfikacja topografii i przesłanie układu do produkcji    114
  6. Projektowanie układów scalonych metodą od ogółu do szczegółu    118
  6.1. Cykl projektowy układu scalonego metodą od ogółu do szczegółu    118
  6.2. Programowanie, kompilacja i symulacja działania układów za pomocą języków opisu sprzętu    119
  6.3. Synteza logiczna    122
  6.4. Komórki standardowe i automatyczne generowanie topografii    124
  7. Produkcja układów scalonych    130
  7.1. Wytwarzanie struktury półprzewodnikowej    130
  7.1.1. Wytwarzanie monokryształu    131
  7.1.2. Defekty struktur monokrystalicznych    133
  7.1.3. Kształtowanie elementów elektrycznych    138
  7.1.4. Nanoszenie warstw    138
  7.1.5. Defekty nanoszonych warstw    151
  7.1.6. Kształtowanie warstw - proces, defekty    153
  7.1.7. Domieszkowanie i wygrzewanie    161
  7.1.8. Uproszczony proces produkcji struktury CMOS    165
  7.2. Postęp technologii CMOS i przyszłość układów scalonych    169
  8. Podstawy języka Verilog    175
  8.1. Terminologia    175
  8.2. Moduł i porty    176
  8.3. Podstawowe konstrukcje języka Verilog    180
  8.3.1. Typy danych    180
  8.3.2. Skalary i wektory    183
  8.3.3. Operacje na wektorach    185
  8.3.4. Pamięci    187
  8.3.5. Parametry    187
  8.3.6. Zadania i funkcje    191
  8.4. Składnia i konwencje języka Verilog    194
  8.4.1. Słowa kluczowe    194
  8.4.2. Identyfikatory    194
  8.4.3. Komentarze    195
  8.4.4. Znaki białe    195
  8.4.5. Stałe    195
  8.5. Przeprowadzanie i kontrola symulacji    197
  8.5.1. Czas i opóźnienia    197
  8.5.2. Moduł testowy    198
  8.5.3. Zadania i funkcje systemowe    198
  8.5.4. Dyrektywy kompilatora    199
  8.6. Hierarchia    201
  8.7. Poziomy abstrakcji modelowania    204
  8.8. Projektowanie na poziomie kluczy i bramek    205
  8.8.1. Elementy predefiniowane    206
  8.8.2. Przykłady zastosowania    209
  8.8.3. Własne elementy predefiniowane    212
  8.9. Projektowanie na poziomie przepływu danych    217
  8.9.1. Operatory    218
  8.9.2. Przypisania współbieżne    221
  8.9.3. Przykładowe zastosowania    222
  8.10. Projektowanie na poziomie behawioralnym    225
  8.10.1. Bloki proceduralne    225
  8.10.2. Instrukcje warunkowe i wyboru    231
  8.10.3. Pętle    234
  9. Zjawiska elektrotermiczne w układach scalonych    237
  9.1. Zjawiska termiczne w ciałach stałych    237
  9.1.1. Rodzaje wymiany ciepła    238
  9.1.2. Równanie przewodnictwa ciepła w ciałach stałych    240
  9.1.3. Rozwiązanie równania przewodnictwa ciepła w ciałach stałych, opisującego warunki pracy obudowanych układów scalonych w stanie ustalonym    243
  9.2. Analiza interakcji elektrotermicznych w układach scalonych    245
  9.2.1. EThS - narzędzie do przeprowadzania symulacji elektrotermicznych w stanie ustalonym    246
  9.2.2. Thermtest - prototypowy układ scalony do weryfikacji zjawisk elektrotermicznych w układach scalonych    247
  9.2.3. Dopasowanie i weryfikacja modeli elektrotermicznych na podstawie pomiarów układu testowego Thermtest i symulacji w środowisku EThS    251
  9.2.4. Przykładowe symulacje elektrotermiczne    256
  Spis literatury    259
RozwińZwiń
W celu zapewnienia wysokiej jakości świadczonych przez nas usług, nasz portal internetowy wykorzystuje informacje przechowywane w przeglądarce internetowej w formie tzw. „cookies”. Poruszając się po naszej stronie internetowej wyrażasz zgodę na wykorzystywanie przez nas „cookies”. Informacje o przechowywaniu „cookies”, warunkach ich przechowywania i uzyskiwania dostępu do nich znajdują się w Regulaminie.

Nie pokazuj więcej tego powiadomienia