Układy scalone CMOS na częstotliwości radiowe i mikrofalowe

Układy scalone CMOS na częstotliwości radiowe i mikrofalowe

1 opinia

Format:

ibuk

WYBIERZ RODZAJ DOSTĘPU

 

Dostęp online przez myIBUK

WYBIERZ DŁUGOŚĆ DOSTĘPU

6,15

Wypożycz na 24h i opłać sms-em.
Brak wydruku.

32,50

cena zawiera podatek VAT

ZAPŁAĆ SMS-EM

Plik pdf jest zamknięty w postaci rastrowej złożonej ze skanów.


Ostatnie lata to okres szybkiego rozwoju technologii wytwarzania układów scalonych Si CMOS oraz ich szerokiego zastosowania w cyfrowej telefonii komórkowej i bezprzewodowej, w odbiornikach telewizji naziemnej i satelitarnej, w odbiornikach GPS, systemach RF ID, w bezprzewodowych sieciach lokalnych (WLAN) itd.


Oto książka, w której przedstawiono najistotniejsze informacje o technologii Si CMOS, zasady projektowania layoutu, modele elektryczne scalonych elementów biernych oraz tranzystorów MOSFET. Najwięcej miejsca poświęcono zagadnieniom układowym i zasadom realizacji, dla zakresu częstotliwości radiowych i mikrofalowych, wzmacniaczy małych sygnałów, wzmacniaczy małoszumnych, wzmacniaczy mocy, mieszaczy, generatorów oraz modulatorów i demodulatorów sygnałów cyfrowych. Omówiono także zagadnienia szumów i zniekształceń nieliniowych w układach i systemach wielkiej częstotliwości.


Książka jest przeznaczona dla studentów elektroniki i telekomunikacji, studiujących technikę mikrofalową, radioelektronikę i mikroelektronikę. Będzie także przydatna dla inżynierów i naukowców specjalizujących się w tych dziedzinach.


Liczba stron350
WydawcaAkademicka Oficyna Wydawnicza EXIT Andrzej Lang
ISBN-13978-83-7837-545-6
Język publikacjipolski
Informacja o sprzedawcyePWN sp. z o.o.

Ciekawe propozycje

Spis treści

  Przedmowa
  1. Wstęp
  2. Szumy i zniekształcenia nieliniowe w układach na częstotliwości radiowe i mikrofalowe
  2.1. Wprowadzenie
  2.2. Szumy w układach elektronicznych
  2.3. Nieliniowości i zniekształcenia w układach na częstotliwości radiowe
  Literatura
  3. Obwody RLC, linie transmisyjne i dopasowanie impedancji
  3.1. Wprowadzenie
  3.2. Równoległy obwód rezonansowy RLC
  3.3. Szeregowy obwód rezonansowy RLC
  3.4. Modyfikacje obwodów rezonansowych RLC
  3.5. Dopasowanie impedancji za pomocą obwodów LC o parametrach skupionych
  3.6. Dopasowanie impedancji za pomocą linii transmisyjnych (obwodów o parametrach rozłożonych)
  Literatura
  4. Modele elementów biernych układów scalonych
  4.1. Wprowadzenie
  4.2. Rezystory scalone i ich modele
  4.3. Kondensatory scalone i ich modele obwodowe
  4.4. Scalone elementy indukcyjne i ich modele obwodowe
  4.5. Koplanarne linie transmisyjne
  Literatura
  5. Modele tranzystorów MOSFET i waraktorów
  5.1. Wprowadzenie
  5.2. Charakterystyki prądowo-napięciowe tranzystora MOSFET
  5.3. Efekt napięcia zasilania podłoża
  5.4. Tranzystor MOSFET z krótkim kanałem
  5.5. Typy tranzystorów MOSFET
  5.6. Pojemności tranzystora MOSFET
  5.7. Obwody zastępcze tranzystorów MOSFET
  5.8. Modele szumowe tranzystora MOSFET dla zakresu częstotliwości radiowych i mikrofalowych
  5.9. Modele waraktorów
  Literatura
  6. Zasilanie układów CMOS
  6.1. Wprowadzenie
  6.1. Właściwości diody p-n jako źródła napięcia odniesienia
  6.2. Realizacja diod i tranzystorów bipolarnych w technologii CMOS
  6.3. Lustra prądowe
  6.4. Dzielniki napięcia
  6.5. Źródła (generatory) prądu odniesienia
  6.6. Obwody z prądem zasilania niezależnym od napięcia zasilania - obwody z samozasilaniem
  Literatura
  7. Stabilność, wzmocnienie i współczynnik szumów wzmacniacza
  7.1. Wprowadzenie
  7.2. Warunki stabilności i maksymalne wzmocnienie mocy
  7.3. Minimalny współczynnik szumów wzmacniacza
  Literatura
  8. Wzmacniacze małych sygnałów
  8.1. Wprowadzenie
  8.2. Wzmacniacz z równoległą indukcyjnością kompensującą spadek wzmocnienia w zakresie dużych częstotliwości
  8.3. Wzmacniacz szerokopasmowy z czwórnikowym obwodem kompensujących
  8.4. Wzmacniacze szerokopasmowe ze sprzężeniem zwrotnym
  8.5. Układy tranzystorowe podwajające częstotliwość odcięcia fT
  8.6. Wzmacniacz rezonansowy
  8.7. Wzmacniacze różnicowe na zakres częstotliwości radiowych
  8.8. Wzmacniacz rozłożony
  Literatura
  9. Wzmacniacze o małych szumach
  9.1. Wprowadzenie
  9.2. Klasyczna teoria szumów dwuwrotnika
  9.3. Zależność parametrów szumowych tranzystorów od layoutu tranzystora MOSFET (skalowanie parametrów szumowych)
  9.4. Parametry szumowe tranzystorów MOSFET
  9.5. Topografie wzmacniaczy małoszumnych, dopasowanie na minimum współczynnika szumów a dopasowanie na maksimum wzmocnienia mocy
  9.6. Technika projektowania wzmacniacza z jednoczesnym dopasowaniem szumowym i dopasowaniem impedancyjnym
  9.7. Technika projektowania wzmacniacza z jednoczesnym dopasowaniem szumowym i dopasowaniem impedancyjnym przy ograniczeniu mocy zasilania
  Literatura
  10. Wzmacniacze mocy
  10.1. Wprowadzenie
  10.2. Rezonansowe wzmacniacze mocy pracujące w klasach A, B, AB i C
  10.3. Wzmacniacz mocy klasy D
  10.4. Wzmacniacz mocy klasy E
  10.5. Wzmacniacz mocy klasy F
  10.6 Liniowość wzmacniacza mocy
  10.7. Ograniczenia prądowe i ograniczenia mocy w scalonych wzmacniaczach mocy
  10.8. Wzmacniacze mocy z sumowaniem mocy sygnału wyjściowego
  Literatura
  11. Mieszacze
  11.1. Wprowadzenie
  11.2. Mieszacze z elementem nieliniowym o charakterystyce kwadratowej
  11.3. Mieszacze jako układy mnożące
  11.4. Mieszacze potencjometryczne
  11.5. Mieszacze jednowstęgowe (z eliminacją częstotliwości lustrzanej)
  Literatura
  12. Generatory
  12.1. Wprowadzenie
  12.2. Obwód rezonansowy
  12.3. Generator jako system z dodatnim sprzężeniem zwrotnym
  12.4. Topografie obwodów sprzężenia zwrotnego w generatorach w.cz.
  12.5. Uproszczona analiza generatorów ze sprzężeniem zwrotnym
  12.6. Różnicowe układy generatorów tranzystorowych
  12.7. Przestrajanie napięciem układy generatorów tranzystorowych w wersji różnicowej
  12.8. Generatory wytwarzające sygnały kwadraturowe
  12.9. Generatory kołowe
  Literatura
  13. Szumy fazowe
  13.1. Wprowadzenie
  13.2. Widmo sygnału generatora LC
  13.3. Szumy fazowe generatorów LC
  Literatura
  14. Modulatory i detektory cyfrowe
  14.1. Wprowadzenie
  14.2. Cyfrowa modulacja fazy
  14.3. Binarna skokowa modulacja fazy (BPSK)
  14.4. Modulatory cyfrowe BPSK
  14.5. Kwadraturowa skokowa modulacja fazy (QPSK)
  14.6. Modulator wektorowy
  14.7. Modulator cyfrowy QPSK
  14.8. Demodulator sygnału z modulacją QPSK
  Literatura
  15. Technologia układów scalonych CMOS
  15.1. Wprowadzenie
  15.2. Właściwości fizyczne materiałów stosowanych do wytwarzania układów CMOS
  15.3. Technologia CMOS
  Literatura
  16. Topografia (layout) układów scalonych Si CMOS
  16.1. Wprowadzenie
  16.2. Maski i warstwy layoutu w projektowaniu układów CMOS
  16.3. Warstwy layoutu
  16.4. Layout rezystorów scalonych
  16.5. Layout kondensatorów scalonych
  16.6. Layout cewek scalonych
  16.7. Layout pola montażowego
  16.8. Layout tranzystorów MOSFET i diod
  16.9. Layout diody p-n
  16.10. Layout diody waraktorowych
  16.11. Podstawowe uwagi dotyczące projektowania layoutu układów CMOS
  Literatura
  
RozwińZwiń
W celu zapewnienia wysokiej jakości świadczonych przez nas usług, nasz portal internetowy wykorzystuje informacje przechowywane w przeglądarce internetowej w formie tzw. „cookies”. Poruszając się po naszej stronie internetowej wyrażasz zgodę na wykorzystywanie przez nas „cookies”. Informacje o przechowywaniu „cookies”, warunkach ich przechowywania i uzyskiwania dostępu do nich znajdują się w Regulaminie.

Nie pokazuj więcej tego powiadomienia